日本村田晶振,石英晶体谐振器CSTNE,贴片晶振编码CSTNE12M0G550000R0

三星2023量产三代4nm芯片不生产3纳米晶振CSTNE12M0G550000R0 3213 12,M 33PF

实际上三星电子先进制程良率非常低,自5纳米工艺开始一直存在良率问题,在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕.2022年2月,三星因4nm工艺良率低的问题,导致高通不得不将骁龙8Gen1Plus交给台积电来代工,同时可能将下一代处理器也交给台积电3nm工艺代工.

实际上,根据ctee的报告,与之前的4/5nm工艺一样,三星在3nmGAA工艺的生产中也遇到了挫折,良率只有20%.为了克服生产过程中遇到的诸多障碍,三星还选择与美国公司合作,协助其提高3nmGAA工艺的良率.尽管此后三星宣称已经通过整合其合作伙伴使用的技术获得了积极成果,但实际良率还不得而知,也没有明显市场表现.三星抢跑“量产”3nm芯片

日本村田晶振,石英晶体谐振器CSTNE,贴片晶振编码CSTNE12M0G550000R0

QQ截图20230318160252

为此三星似乎将目光重点转向提升芯片良率上.3月12日,三星电子公布了《三星电子事业报告书》.报告书显示,三星将于今年上半年开始量产基于4nm工艺的2.3代芯片.这是三星电子首次提及4纳米后续版本的具体量产时间.或许,这也意味着三星正从冒进的先进芯片工艺策略务实转向提升良率.当前在尖端芯片工艺上,三星与台积电可算得上“第一阵营”.然而就先进芯片工艺良率上,三星与台积电还是存在一些差距.以3纳米芯片为例,尽管三星采用了GAA工艺,但良率仍然不敌台积电.日本村田晶振,石英晶体谐振器CSTNE,贴片晶振编码CSTNE12M0G550000R0

品牌	原厂代码	型号	尺寸	频率	负载/电压	精度	脚
MURATA	CSTLS8M00G53-B0	CSTLS	9060	8.000M	15PF	0.50%	2 PIN
MURATA	CSTLS4M00G53-B0	CSTLS	9060	4.000M	15PF	0.50%	2 PIN
MURATA	CSTNE8M00G520000R0	CSTNE	3213	8.000M	10PF	0.50%	3 PIN
MURATA	CSTNE8M00G550000R0	CSTNE	3213	8.000M	33PF	0.50%	3 PIN
MURATA	CSTNE10M00G520000R0	CSTNE	3213	10.000M	10PF	0.50%	3 PIN
MURATA	CSTNE10M00G550000R0	CSTNE	3213	10.000M	33PF	0.50%	3 PIN
MURATA	CSTNE12M0G550000R0	CSTNE	3213	12.000M	33PF	0.50%	3 PIN
MURATA	CSTNE16M0V53-R0	CSTNE	3213	16.000M	15PF	0.50%	3 PIN
MURATA	CSTCR4M00G53-R0	CSTCR	4520	4.000M	15PF	0.50%	3 PIN
MURATA	CSTCC3M58G53-R0	CSTCC	7234	3.58M	15PF	0.50%	3 PIN
MURATA	CSTCC4M00G53-R0	CSTCC	7234	4.000M			3 PIN
TXC			2012	32.768K	7PF
SEIKO	Q-SC20S0322070AAAF	SC-20S	2012	32.768K	7PF	20PPM
EPSON	X1A000061000800	FC-12M	2012	32.768K	9PF	20PPM
EPSON	X1A000061000500	FC-12M	2012	32.768K	12.5PF	20PPM
NDK	STD-MUB-1	NX2012SA	2012	32.768K	12.5PF
NDK	EXS00A-MU01289	NX2012SA	2012	32.768K	12.5PF
EPSON	Q13FC1350004900	FC-135	3215	32.768K	6PF	20PPM
SEIKO		SC-32S	3215	32.768K	7PF	20PPM
EPSON	Q13FC1350000200	FC-135	3215	32.768K	7PF	20PPM
HONISO	ETST00327000LE	ETST	3215	32.768K	7PF	20PPM
NDK	EXS00A-MU00503	NX3215SA	3215	32.768K	12.5PF
NDK	STD-MUS-2	NX3215SA	3215	32.768K	12.5PF
SEIKO	Q-SC32S03210C5AAAF	SC-32S	3215	32.768K	12.5PF	10PPM
大河	Q7EA327A	TFX-02S	3215	32.768K	12.5PF	20PPM
SEIKO	Q-SC32T03220C5AAAF	SC-32T	3215	32.768K	12.5PF	20PPM
EPSON	Q13FC1350000400	FC-135	3215	32.768K	12.5PF	20PPM
			4115	32.768K	12.5PF	20PPM
CITIZEN	CM51932768DZFT	CM519	5020	32.768K	12.5PF	20PPM
CITIZEN	CM13032768DZYT	CM130	7015	32.768K	7PF	10PPM
SEIKO	Q-SPT7P032762070FF	SSP-T7-F	7015	32.768K	7PF	10PPM
EPSON	Q13MC1462000100	MC-146	7015	32.768K	7PF	20PPM
SEIKO	Q-SPT7P032762050CC	SSP-T7-F	7015	32.768K	12.5PF	20PPM	4 PIN
		CM200C	8038	32.768K	12.5PF
		CMR206T	206	32.768K	12.5PF	20PPM

2022年6月,三星“压哨”实现了自己对3nm量产时间的承诺,即量产基于GAA晶体管（Gate-All-AroundFET,全环绕栅极）结构的3nm芯片.尽管三星宣称与最初使用FinFET的5nm工艺相比,第一代3nmGAA工艺节点在功耗、性能和面积(PPA)方面都有不同程度的改善,但其良率非常低.3纳米不尽人意!三星2023上半年转向量产第三代4nm芯片三星2023年的新旗舰机S23,主要将搭载高通的处理器,Exynos芯片改用于中端机种.这对三星自身芯片代工而言,也是自打自脸.此前有消息人士透露,三星认为4纳米是3纳米和5纳米之间的过渡制程,投入的资源极少.不过三星似乎也在改变此前的做法.