您好! 欢迎来到壹兆电子晶振平台!

深圳壹兆电子科技有限公司

YiZhao Electronic Technology co.LTD

首页 行业资讯

X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON马斯克和贾跃亭电动汽车造车梦想

2023-05-31 19:28:02 壹兆电子

X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON马斯克和贾跃亭电动汽车造车梦想

马斯克访华

1小时前新

外交部回应马斯克访华与中国多部委官员见面

今天 12:34

工业和信息化部部长金壮龙会见特斯拉公司首席执行官马斯克

今天 10:45

马斯克访华后特斯拉股价收涨超4%，约合近1800亿人民币

今天 09:37

网传马斯克与与全球动力电池龙头宁德时代董事长曾毓群会面

今天 09:30

马斯克到北京第一天吃了啥：16道菜没烤鸭、菜单含“马”量极高

昨天 18:19

马斯克访华行程曝光 首站北京蟹岛

昨天 18:18爱普生晶振

马斯克：特斯拉公司反对“脱钩断链”，愿继续拓展在华业务

昨天 18:15

秦刚会见特斯拉首席执行官马斯克

昨天 15:31

外媒：马斯克私人飞机降落北京

昨天 15:28

外交部回应：欢迎，乐见外资企业在华投资兴业

5月29日 21:43

外媒：消息人士称，预计马斯克本周访问中国

QQ截图20230531180052

贾跃亭FF 91交付

今天 13:56新

理想汽车李想发文称赞FF91，贾跃亭发文感谢

贾跃亭：感谢李想的支持。作为智能电车时代的拓荒者，很荣幸FF点燃了很多人的梦想。智能电车产业进入了新的阶段，传统塔尖顶奢市场的上古玩家们都太老了，用户在呼唤具有极智科技顶奢能力的颠覆者。塔尖变革之路维艰，FF一直在努力，也期待李总有时间来FF洛杉矶总部交流指导

今天 11:00

法拉第未来宣布新车售价为30.9万美元

今天 08:13

贾跃亭发布试驾FF91视频：终于快到了交付的时刻

4月15日 16:59

贾跃亭：九年不屈，FF 91已经不是大家想象中的FF 91了

4月14日 14:01

FF91于4月15日正式下线，一阶段交付时间延至5月底

4月14日 12:38日本进口晶振

贾跃亭FF91交付时间又“跳票”！用户：还有未来吗？

2月6日 14:29

FF达成1.35亿融资 筹集FF91Futurist量产资金

2022年12月16日

FF 91 Futurist开始量产，预计明年4月下线交付

2022年11月23日

FF第三季度减亏 宣布完成生产制造第六个里程碑

2022年8月30日

FF称量产所需设备已就位，计划今年第四季度开始量产

2022年8月3日

FF公司：确保FF 91在2022年第三或第四季度实现交付

2022年2月17日

法拉第未来官宣：FF 91量产版2月23日正式发布

2021年7月22日

FF今日上市，贾跃亭这次能圆造车梦吗？

QQ截图20230531180514

特征

晶体振荡器（可编程）

输出频率：0.67 MHz 至 170 MHz（1 ×10-6步进）

输出：CMOS

电源电压：1.62 V 至 3.63 V

频率公差、工作温度：

±15 ×10-6/ -40 °C 至 +85 °C

±20 ×10-6， ±50 × 10-6 /-40 °C 至 +105 °C

描述爱普生的SG-8101系列是具有CMOS输出的可编程晶体振荡器系列。

虽然该系列提供了与之前同类产品相同的频率和其他参数的简单可编程性

SG-8002/SG-8003系列，车载级晶振它们还具有更宽的工作温度范围，顶端极限为105°C。除了使电子制造商能够节省电路板空间的 2.5 × 2.0 mm 封装外，振荡器还将提供以下常用封装尺寸：3.2 × 2.5 mm、5.0 × 3.2 mm 和 7.0 × 5.0 mm。SG-8101系列振荡器的频率容差比同类产品高约66%，电流消耗降低约50%，可在各种环境条件下使用。这也将显著提高性能、降低功耗要求、缩短开发周期和小批量生产。

项目

象征

规格

条件/备注

电源电压

VCC

1.80 V 典型值

2.50 V 典型值

3.30 V 典型值

-

1.62 V 至 1.98 V

1.98 V 至 2.20 V

2.20 V 至 2.80 V

2.70 V 至 3.63 V

输出频率范围

fO

0.67MHZ至170MHZ

储存温度

T_stg

-40 °C 至 +125 °C

作为单个产品存储。

工作温度

T_use

-40 °C 至 +85 °C

-

-40 °C 至 +105 °C

频率公差*1

f_tol

乙： ±15 ×10-6

T_use = -40 ºC 至 +85 °C

C： ±20 ×10-6

T_use = -40 ºC 至 +105 °C

J： ±50 ×10-6

T_use = -40 ºC 至 +105 °C

电流消耗

ICC

最大 3.2 mA

最大 3.3 mA

最大 3.4 mA

最大 3.5 mA

T_use = +105 °C

空载，fO= 20 MHz

典型值 2.7 mA

2.9 mA 典型值

3.0 mA 典型值

T_use = +25 °C

最大 5.5 mA

最大 5.8 mA

最大 6.7 mA

最大 8.1 mA

T_use = +105 °C

空载，fO= 170 MHz

4.7 mA 典型值

5.7 mA 典型值

6.8 mA 典型值

T_use = +25 °C

输出禁用电流

I_dis

最大 3.2 mA

最大 3.2 mA

最大 3.3 mA

最大 3.5 mA

OE = GND， fO= 170

MHZ

待机电流

I_std

最大 0.9 μA

最大 1.0 μA

最大 1.5 μA

最大 2.5 μA

T_use = +105 °C

ST ? ? = GND

0.3 μA 典型值

0.4 μA 典型值

0.5 μA 典型值

典型值 1.1 μA

T_use = +25 °C

对称

西姆

45 % 至 55 %

50 %V CC电平

输出电压

（直流特性）

VOH

90 %V CC最小值

[毫安]

上升/下降时间

VCC

*一个

*乙

*C

*D

V， V

默认 （fO> 40 MHz），

-2.5

-3.5

-4.0

-5.0

一、

2.5

3.5

4.0

5.0

默认值 （fO≤ 40 MHz）

-1.5

-2.0

-2.5

-3.0

VOL

最大 10 %V CC

一、

1.5

2.0

2.5

3.0

*：1.62

*C： 2.20


-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

IOL1.01.5 2.0 2.5

V 至 1.98 V， *B： 1.98 V 至 2.20

V 至 2.80 V，*D：2.70 V 至 3.63

输出负载条件

L_CMOS

最大 15 pF

-

输入电压

五IH

最小 70 %V CC

OE 或 ST ? ?

VIL

最大 30 %V CC

上升时间/下降时间

违约

TR/TF

最大 3.0 ns

fO> 40MHZ

20 % - 80 % VCC，L_CMOS = 15 pF

最大 6.0 ns

fO≤ 40MHZ

快

最大 3.0 ns

fO= 0.67MHZ至170MHZ

慢

最大 10.0 ns

fO= 0.67MHZ至20MHZ

输出禁用时间 （OE） 输出禁用时间 （ST）

tstp_oe

tstp_st

最大 1 μs

从 OE 或 ST ? ? 引叉 30 % 的时间开始测量

VCC

输出使能时间 （OE）

tsta_oe

最大 1 μs

从 OE 引脚穿过 70 % VCC的时间开始测量

输出使能时间 （ST）

tsta_st

最大 3 毫秒

从 ST ? ? 引叉 70 % VCC的时间开始测量

启动时间

t_str

最大 3 毫秒

从 VCC达到其额定最小值 1.62 V 时开始测量

频率老化

f_age

这包含在频率容差规范中。

+25 °C，第一年

深圳市壹兆电子科技有限公司
晶振联系人：龚成
石英晶振振荡器电话：0755--27876236
QQ：769468702
进口晶振手机：13590198504
陶瓷晶振邮箱:zhaoxiandz@163.com
日本台湾欧美晶振品牌网站:http://www.oscillatorcrystal.com

编码 型号 频率 尺寸 输出方式 电源电压 工作温度 频率偏差
X1G0051810270 SG-8101CG 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810271 SG-8101CG 29.491200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810272 SG-8101CG 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810273 SG-8101CG 12.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810274 SG-8101CG 28.672000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810275 SG-8101CG 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0051810276 SG-8101CG 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0051810278 SG-8101CG 26.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810279 SG-8101CG 48.896000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810280 SG-8101CG 24.545454 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810281 SG-8101CG 33.333333 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810282 SG-8101CG 14.318180 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810284 SG-8101CG 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810285 SG-8101CG 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810286 SG-8101CG 25.248000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810287 SG-8101CG 40.970875 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810300 SG-8101CG 2.048000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810301 SG-8101CG 6.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810302 SG-8101CG 30.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810303 SG-8101CG 11.289600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810304 SG-8101CG 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810305 SG-8101CG 75.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810306 SG-8101CG 24.576000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810308 SG-8101CG 4.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810309 SG-8101CG 29.999250 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810310 SG-8101CG 48.004800 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810311 SG-8101CG 6.144000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810313 SG-8101CG 16.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810314 SG-8101CG 37.210000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810320 SG-8101CG 16.480000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810322 SG-8101CG 36.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810323 SG-8101CG 14.318180 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810325 SG-8101CG 6.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810329 SG-8101CG 4.096000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810330 SG-8101CG 21.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810331 SG-8101CG 13.560000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810332 SG-8101CG 38.880972 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810336 SG-8101CG 32.256000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810344 SG-8101CG 37.125000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810345 SG-8101CG 12.800000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810347 SG-8101CG 20.480000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0051810348 SG-8101CG 40.960000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0058810005 SG2520EGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LV-PECL 3.135 to 3.465 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059010004 SG2520VGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059010007 SG2520VGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 1.710 to 1.890 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059010008 SG2520VGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 2.375 to 2.625 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059410003 SG2520VHN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 1.710 to 1.890 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0059410005 SG2520VHN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0059410009 SG2520VHN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 2.375 to 2.625 V -40 to 105 °C +/-20 ppm
X1G0059510004 SG2520CAA 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510006 SG2520CAA 12.288000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510007 SG2520CAA 24.576000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510009 SG2520CAA 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510010 SG2520CAA 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510013 SG2520CAA 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510014 SG2520CAA 11.289600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510015 SG2520CAA 8.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510018 SG2520CAA 14.745600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510019 SG2520CAA 16.666600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510020 SG2520CAA 22.579200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510021 SG2520CAA 33.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510022 SG2520CAA 33.333300 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510023 SG2520CAA 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510024 SG2520CAA 48.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510025 SG2520CAA 50.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0059510027 SG2520CAA 54.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1B0003910001 SG-3031CM 32.768kHz 3.20 x 1.50 x 0.90 mm CMOS 1.200 to 5.500 V -40 to 105 °C +5 +/-23 ppm
X1B000401A001 SG-3031CMA 32.768kHz 3.20 x 1.50 x 0.90 mm CMOS 1.200 to 5.500 V -40 to 105 °C +5 +/-23 ppm
X1B0003510001 TG-3541CE 32.768kHz 3.20 x 2.50 x 1.00 mm CMOS 1.500 to 5.500 V -40 to 105 °C +0 +/-1.9 ppm
X1B0003510002 TG-3541CE 32.768kHz 3.20 x 2.50 x 1.00 mm CMOS 1.500 to 5.500 V -40 to 105 °C +0 +/-3.8 ppm
X1B000361A001 TG-3541CEA 32.768kHz 3.20 x 2.50 x 1.00 mm CMOS 1.500 to 5.500 V -40 to 105 °C +0 +/-1.9 ppm
X1B000361A002 TG-3541CEA 32.768kHz 3.20 x 2.50 x 1.00 mm CMOS 1.500 to 5.500 V -40 to 105 °C +0 +/-3.8 ppm

上一页 余下全文

1/5

网友点评

热门产品

511ACA156M250CAG 3225 156.2500M LVPECL 3.3V 20PP 6P Skyworks511ACA156M250CAG 3225 156.2500M LVPECL 3.3V 20PP 6P SkyworksGreenray格林雷晶振,T1215差分晶振,T1215-T57-PE-5.0-LG-B-300MHz-E晶振Greenray格林雷晶振,T1215差分晶振,T1215-T57-PE-5.0-LG-B-300MHz-E晶振

美国格林雷晶振,T124移动通讯晶振,T124-T16-3.3-32.768kHz-E晶振美国格林雷晶振,T124移动通讯晶振,T124-T16-3.3-32.768kHz-E晶振Greenray格林雷晶振,T121有源晶振,T121-T57-100.0MHz温补晶振Greenray格林雷晶振,T121有源晶振,T121-T57-100.0MHz温补晶振

热点推荐

Fuji富士晶振FCX2S02600010I1X 2016 26M 10PF 10PP -40+125真无线立体声XLM326100.000000I 3225 100M瑞萨RENESAS六脚差分LVDS华为Mate60 5G晶振富士晶振物联网 FCX3M02500020Y1G 3225 25M 20PF 10PPFCX9M02500020Y5L 49SMD 25M 20PF 日本富士FCom晶振参数对比高利奇Golledge SAW滤波器GPS六脚MP05145 1601.0MHz GSRF TA0550A SAW Filt 3.0X3.0