VG-4231CE压控晶振Q3614CE00008000非常适用于无线通讯设备应用
随着现代无线通信系统向高频化，宽带化，便携化方向发展，要求压控晶振频率高，频率范围宽，线性度好，频率稳定性好，频率牵引误差小，噪声低，封装尺寸小等特点。爱普生晶振公司推出的VG-4231CE压控晶振，小体积尺寸3.2x2.5mm四脚贴片晶振，有源晶振，该产品具有频率范围宽快速响应，低消耗电流，封装尺寸小等特性，非常适用于无线通讯，高端智能手机，平板笔记本WLAN，蓝牙，数码相机，工业电子，汽车电子，消费电子，通信设备领域，该产品电源电压最大分别为3.3V±0.3V,3.3V±0.165V和5.0V±0.5V,它们都为低电流消耗类型,该系列在无负载情况下消耗电流最小仅为1.2mA。
VG-4231CE压控晶振Q3614CE00008000非常适用于无线通讯设备应用
| 晶振资料 |
  型号
|
  频率
|
   尺寸
|
  输出波
|
  电源电压
|
| Q3614CE00000600 | VG-4231CE | 27.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 1.600 to 2.000V |
| Q3614CE00001100 | VG-4231CE | 27.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00001200 | VG-4231CE | 27.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00001300 | VG-4231CE | 24.576000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 1.600 to 2.000V |
| Q3614CE00002300 | VG-4231CE | 24.576000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00002400 | VG-4231CE | 16.384000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00002700 | VG-4231CE | 17.734475MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00002900 | VG-4231CE | 24.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00003100 | VG-4231CE | 36.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00004100 | VG-4231CE | 25.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00004300 | VG-4231CE | 32.768000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 2.600 to 3.000V |
| Q3614CE00004400 | VG-4231CE | 25.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00004600 | VG-4231CE | 12.288000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00006000 | VG-4231CE | 11.289600MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00006100 | VG-4231CE | 32.768000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00006200 | VG-4231CE | 24.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00006600 | VG-4231CE | 28.636360MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 1.600 to 2.000V |
| Q3614CE00007100 | VG-4231CE | 32.768000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00007200 | VG-4231CE | 12.288000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00008000 | VG-4231CE | 16.777216MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00008100 | VG-4231CE | 12.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00008200 | VG-4231CE | 24.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 1.600 to 2.000V |
| Q3614CE00008300 | VG-4231CE | 25.165800MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 1.600 to 2.000V |
| Q3614CE00009400 | VG-4231CE | 9.600000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 2.600 to 3.000V |
| Q3614CE00009500 | VG-4231CE | 32.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00009700 | VG-4231CE | 25.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 1.600 to 2.000V |
| Q3614CE00009800 | VG-4231CE | 13.560000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
| Q3614CE00009900 | VG-4231CE | 12.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS | 3.000 to 3.600V |
晶体振荡器作为一种高稳定频率源，广泛应用于各种仪器设备中。其中，压控晶体振荡器(VCXO)因其频率可调而成为各种接收机和转发器中不可或缺的关键部件。在这些器件中，为了补偿晶体振荡器的长期老化、发射和接收信号之间的多普勒频移等因素，通常要求压控晶振具有较宽的电压控制范围；而且为了适应野外和空间的工作环境，还要求在较宽的温度范围内具有良好的频率和温度稳定性。
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