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X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON马斯克和贾跃亭电动汽车造车梦想

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X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON马斯克和贾跃亭电动汽车造车梦想

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浏览：- 发布日期：2023-05-31 19:28:02【大中小】

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X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON马斯克和贾跃亭电动汽车造车梦想

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贾跃亭FF 91交付

今天 13:56新

理想汽车李想发文称赞FF91，贾跃亭发文感谢

贾跃亭：感谢李想的支持。作为智能电车时代的拓荒者，很荣幸FF点燃了很多人的梦想。智能电车产业进入了新的阶段，传统塔尖顶奢市场的上古玩家们都太老了，用户在呼唤具有极智科技顶奢能力的颠覆者。塔尖变革之路维艰，FF一直在努力，也期待李总有时间来FF洛杉矶总部交流指导

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2021年7月22日

FF今日上市，贾跃亭这次能圆造车梦吗？X1G0051810304晶振,SG-8101CG编程晶振,汽车耐高温晶振X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON

特征

晶体振荡器（可编程）

输出频率：0.67 MHz 至 170 MHz（1 × ^10-6 步进）

输出：CMOS

电源电压：1.62 V 至 3.63 V

频率公差、工作温度：

±15 × ^10-6 / -40 °C 至 +85 °C

±20 × ^10-6， ±50 × 10-6 / ^-40 °C 至 +105 °C

描述爱普生的SG-8101系列是具有CMOS输出的可编程晶体振荡器系列。

虽然该系列提供了与之前同类产品相同的频率和其他参数的简单可编程性

SG-8002/SG-8003系列，车载级晶振它们还具有更宽的工作温度范围，顶端极限为105 °C。除了使电子制造商能够节省电路板空间的 2.5 × 2.0 mm 封装外，振荡器还将提供以下常用封装尺寸：3.2 × 2.5 mm、5.0 × 3.2 mm 和 7.0 × 5.0 mm。SG-8101系列振荡器的频率容差比同类产品高约66%，电流消耗降低约50%，可在各种环境条件下使用。这也将显著提高性能、降低功耗要求、缩短开发周期和小批量生产。X1G0051810304晶振,SG-8101CG编程晶振,汽车耐高温晶振X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON

项目

象征

规格

条件/备注

电源电压

VCC

1.80 V 典型值

2.50 V 典型值

3.30 V 典型值

1.62 V 至 1.98 V

1.98 V 至 2.20 V

2.20 V 至 2.80 V

2.70 V 至 3.63 V

输出频率范围

f_O

0.67MHZ至170MHZ

储存温度

T_stg

-40 °C 至 +125 °C

作为单个产品存储。

工作温度

T_use

-40 °C 至 +85 °C

-40 °C 至 +105 °C

频率公差^*1

f_tol

乙： ±15 × ^10-6

T_use = -40 ºC 至 +85 °C

C： ±20 × ^10-6

T_use = -40 ºC 至 +105 °C

J： ±50 × ^10-6

T_use = -40 ºC 至 +105 °C

电流消耗

ICC

最大 3.2 mA

最大 3.3 mA

最大 3.4 mA

最大 3.5 mA

T_use = +105 °C

空载，f_O= 20 MHz

典型值 2.7 mA

2.9 mA 典型值

3.0 mA 典型值

T_use = +25 °C

最大 5.5 mA

最大 5.8 mA

最大 6.7 mA

最大 8.1 mA

T_use = +105 °C

空载，f_O= 170 MHz

4.7 mA 典型值

5.7 mA 典型值

6.8 mA 典型值

T_use = +25 °C

输出禁用电流

I_dis

最大 3.2 mA

最大 3.3 mA

最大 3.5 mA

OE = GND， f_O= 170

MHZ

待机电流

I_std

最大 0.9 μA

最大 1.0 μA

最大 1.5 μA

最大 2.5 μA

T_use = +105 °C

ST ? ? = GND

0.3 μA 典型值

0.4 μA 典型值

0.5 μA 典型值

典型值 1.1 μA

T_use = +25 °C

对称

西姆

45 % 至 55 %

50 %_{V CC} 电平

输出电压

（直流特性）

VOH

90 %_{V CC} 最小值

[毫安]

上升/下降时间

VCC

*一个

*乙

V， V

默认（f_O> 40 MHz），

-2.5

-3.5

-4.0

-5.0

一、

2.5

3.5

4.0

5.0

默认值（f_O≤ 40 MHz）

-1.5

-2.0

-2.5

-3.0

V_OL

最大 10 %_{V CC}

一、

1.5

2.0

2.5

3.0

*：1.62

*C： 2.20

-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

I_OL 1.0 1.5 2.0 2.5

V 至 1.98 V， *B： 1.98 V 至 2.20

V 至 2.80 V，*D：2.70 V 至 3.63

输出负载条件

L_CMOS

最大 15 pF

输入电压

五_IH

最小 70 %_{V CC}

OE 或 ST ? ?

V_IL

最大 30 %_{V CC}

上升时间/下降时间

违约

TR/TF

最大 3.0 ns

f_O> 40MHZ

20 % - 80 % V_CC_，L_CMOS = 15 pF

最大 6.0 ns

f_O≤ 40MHZ

快

最大 3.0 ns

f_O = 0.67MHZ至170MHZ

慢

最大 10.0 ns

f_O = 0.67MHZ至20MHZ

输出禁用时间（OE）输出禁用时间（ST）

tstp_oe

tstp_st

最大 1 μs

从 OE 或 ST ? ? 引叉 30 % 的时间开始测量

VCC

输出使能时间（OE）

tsta_oe

最大 1 μs

从 OE 引脚穿过 70 % V_CC 的时间开始测量

输出使能时间（ST）

tsta_st

最大 3 毫秒

从 ST ? ? 引叉 70 % V_CC 的时间开始测量

启动时间

t_str

最大 3 毫秒

从 V_CC 达到其额定最小值 1.62 V 时开始测量

频率老化

f_age

这包含在频率容差规范中。

+25 °C，第一年

深圳市壹兆电子科技有限公司
晶振联系人：龚成
石英晶振振荡器电话：0755--27876236
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陶瓷晶振邮箱:zhaoxiandz@163.com
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X1G0051810304晶振,SG-8101CG编程晶振,汽车耐高温晶振X1G0051810304 SG-8101CG 2520 26MHZ CMOS -40+105 EPSON

编码	型号	频率	尺寸	输出方式	电源电压	工作温度	频率偏差
X1G0051810270	SG-8101CG	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810271	SG-8101CG	29.491200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810272	SG-8101CG	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810273	SG-8101CG	12.500000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810274	SG-8101CG	28.672000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810275	SG-8101CG	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0051810276	SG-8101CG	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0051810278	SG-8101CG	26.600000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810279	SG-8101CG	48.896000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810280	SG-8101CG	24.545454 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810281	SG-8101CG	33.333333 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810282	SG-8101CG	14.318180 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810284	SG-8101CG	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810285	SG-8101CG	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810286	SG-8101CG	25.248000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810287	SG-8101CG	40.970875 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810300	SG-8101CG	2.048000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810301	SG-8101CG	6.500000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810302	SG-8101CG	30.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810303	SG-8101CG	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810304	SG-8101CG	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810305	SG-8101CG	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810306	SG-8101CG	24.576000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810308	SG-8101CG	4.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810309	SG-8101CG	29.999250 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810310	SG-8101CG	48.004800 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810311	SG-8101CG	6.144000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810313	SG-8101CG	16.600000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810314	SG-8101CG	37.210000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810320	SG-8101CG	16.480000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810322	SG-8101CG	36.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810323	SG-8101CG	14.318180 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810325	SG-8101CG	6.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810329	SG-8101CG	4.096000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810330	SG-8101CG	21.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810331	SG-8101CG	13.560000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810332	SG-8101CG	38.880972 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810336	SG-8101CG	32.256000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810344	SG-8101CG	37.125000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810345	SG-8101CG	12.800000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810347	SG-8101CG	20.480000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0051810348	SG-8101CG	40.960000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0058810005	SG2520EGN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LV-PECL	3.135 to 3.465 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059010004	SG2520VGN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059010007	SG2520VGN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LVDS	1.710 to 1.890 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059010008	SG2520VGN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LVDS	2.375 to 2.625 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059410003	SG2520VHN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LVDS	1.710 to 1.890 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0059410005	SG2520VHN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0059410009	SG2520VHN	156.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.84 mm	LVDS	2.375 to 2.625 V	-40 to 105 °C	+/-20 ppm
X1G0059510004	SG2520CAA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510006	SG2520CAA	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510007	SG2520CAA	24.576000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510009	SG2520CAA	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510010	SG2520CAA	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510013	SG2520CAA	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510014	SG2520CAA	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510015	SG2520CAA	8.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510018	SG2520CAA	14.745600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510019	SG2520CAA	16.666600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510020	SG2520CAA	22.579200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510021	SG2520CAA	33.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510022	SG2520CAA	33.333300 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510023	SG2520CAA	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510024	SG2520CAA	48.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510025	SG2520CAA	50.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G0059510027	SG2520CAA	54.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1B0003910001	SG-3031CM	32.768kHz	3.20 x 1.50 x 0.90 mm	CMOS	1.200 to 5.500 V	-40 to 105 °C	+5 +/-23 ppm
X1B000401A001	SG-3031CMA	32.768kHz	3.20 x 1.50 x 0.90 mm	CMOS	1.200 to 5.500 V	-40 to 105 °C	+5 +/-23 ppm
X1B0003510001	TG-3541CE	32.768kHz	3.20 x 2.50 x 1.00 mm	CMOS	1.500 to 5.500 V	-40 to 105 °C	+0 +/-1.9 ppm
X1B0003510002	TG-3541CE	32.768kHz	3.20 x 2.50 x 1.00 mm	CMOS	1.500 to 5.500 V	-40 to 105 °C	+0 +/-3.8 ppm
X1B000361A001	TG-3541CEA	32.768kHz	3.20 x 2.50 x 1.00 mm	CMOS	1.500 to 5.500 V	-40 to 105 °C	+0 +/-1.9 ppm
X1B000361A002	TG-3541CEA	32.768kHz	3.20 x 2.50 x 1.00 mm	CMOS	1.500 to 5.500 V	-40 to 105 °C	+0 +/-3.8 ppm

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