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俄乌战争三星手机苹果手机退出小米手机超越TCXO爱普生温补晶振X1G005421020500

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 浏览：- 发布日期：2022-09-24 15:56:59【大 中 小】
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俄乌战争三星手机苹果手机退出小米手机超越TCXO爱普生温补晶振X1G005421020500

此前在俄乌战争爆发后三星手机从3月起暂停了对俄罗斯的出货.这一举措导致其在俄罗斯的市场份额大幅流失,从去年末的30%一路狂降至不足10%.如今,三星可能终于扛不住了.

由于苹果手机和三星手机都停止向俄供货,爱普生晶振导致市场份额大减,而中国智能手机品牌迅速抢占了俄罗斯的市场份额.根据俄罗斯最大的移动运营商MobileTeleSystemsPJSC（MTS）的数据,今年第二季度小米手机超越三星手机,成为俄罗斯最畅销的智能手机品牌.而在俄罗斯最畅销的前五名智能手机品牌中有三个是中国品牌.

QQ截图20220924143421

TCXO爱普生温补晶振X1G005421020500,三星手机苹果手机小米手机晶振

爱普生晶振编码 型号 频率 长x宽x高 输出波 电源电压 频率偏差 TCXO 工作温度
X1G005421002900 TG2520SMN 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-2.0 ppm TCXO 40 to +85 °C
X1G005421003000 TG2520SMN 12.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-2.0 ppm TCXO 30 to +85 °C
X1G005421003700 TG2520SMN 16.384000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO 40 to +85 °C
X1G005421003800 TG2520SMN 16.384000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.260 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO 40 to +85 °C
X1G005421020100 TG2520SMN 16.368000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421020200 TG2520SMN 16.369000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421020300 TG2520SMN 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421020400 TG2520SMN 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421020500 TG2520SMN 32.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421020600 TG2520SMN 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421020700 TG2520SMN 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421020800 TG2520SMN 16.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421021100 TG2520SMN 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421021200 TG2520SMN 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421021300 TG2520SMN 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421021400 TG2520SMN 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421021500 TG2520SMN 30.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421021600 TG2520SMN 48.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421022000 TG2520SMN 52.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421022100 TG2520SMN 27.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421022200 TG2520SMN 50.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 1.700 to 1.900 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421030100 TG2520SMN 16.368000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421030200 TG2520SMN 16.369000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421030300 TG2520SMN 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421030400 TG2520SMN 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421030500 TG2520SMN 32.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421030600 TG2520SMN 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421030700 TG2520SMN 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421030800 TG2520SMN 16.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421031100 TG2520SMN 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421031200 TG2520SMN 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421031300 TG2520SMN 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421031400 TG2520SMN 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421031500 TG2520SMN 30.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421031600 TG2520SMN 48.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421032000 TG2520SMN 52.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421032100 TG2520SMN 27.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421032200 TG2520SMN 50.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.660 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO -40 to +85 °C
X1G005421032400 TG2520SMN 10.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave 2.260 to 3.465 V +/-1.5 ppm TCXO 40 to +85 °C
X1G005161000200 TG2520CEN 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161000700 TG2520CEN 32.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.500 to 3.300 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161000900 TG2520CEN 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161001100 TG2520CEN 16.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.500 to 3.300 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161001200 TG2520CEN 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161001300 TG2520CEN 48.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 3.000 to 3.600 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161001400 TG2520CEN 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161001500 TG2520CEN 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161001900 TG2520CEN 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161002200 TG2520CEN 12.288000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161002300 TG2520CEN 12.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161002500 TG2520CEN 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161002600 TG2520CEN 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
X1G005161002800 TG2520CEN 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 2.375 to 3.630 V +/-2.0 ppm TCXO -40 to ++85 °C
进入第三季度后三星的市场流失速度进一步加快.据MTS数据显示,今年7月,小米手机及其子品牌POCO合计占俄罗斯智能手机市场的42%,销量排名第一.第二名是Realme,日本进口晶振占据俄罗斯市场的17%,较6月的13.4%有所增加.三星排名第三其市场份额已经急剧下降至8.5%.排名第四的是传音控股Tecno,市场份额为7.5%.苹果以7%的市场份额位居第五.

这一事实证明三星停止供货举措对市场份额的冲击力是显著的,而这可能也是三星急于回归俄罗斯市场的原因.值得注意的是,前不久俄罗斯贸易和工业部长丹尼斯·曼图罗夫曾表示,俄罗斯不排除会进口最新的iPhone14系列.如果苹果能重返俄罗斯,估计三星也不会远了.

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