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1XVD008192VB晶振型号DSV321SV 3225 8.19M晶体管器件物理领域取得进展

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浏览:- 发布日期:2023-03-06 17:41:21【
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1XVD008192VB晶振型号DSV321SV 3225 8.19M晶体管器件物理领域取得进展

该研究得到国家重点研发计划项目电子器件与集成技术重点实验室开放课题、国家自然科学基金及中科院战略性先导科技项目的KDS晶振大真空晶体支持.针对此问题团队制备了基于p型和n型有机分子构成的单晶电荷转移界面的晶体管器件,探究了电荷转移界面以及栅氧界面电场的相互作用对晶体管工作时载流子及电导分布特性的影响.相较于界面单晶体内的缺陷态减少3个数量级以上,这意味着更小的散射概率和更高的器件迁移率.

日本KDS晶振,Y1XVD008192VB有源晶振编码,石英晶振型号DSV321SV 3225 8.19M

QQ截图20230306171215

通过开尔文探针显微镜对表面电势的栅压依赖性表征和二维数值仿真,证实电荷转移界面的内建电场与栅氧界面电场发生有效耦合,提高了载流子体传输比例,减少了界面无序因素对载流子传输的限制作用,大幅度提升了器件的跨导.有源晶振相比于传统基于无序半导体材料的场效应晶体管中掺杂引起的缺陷钝化现象,由有序单晶电荷转移界面制备的场效应晶体管不仅整体电导、迁移率高,还具有跨导不依赖于栅压的电学特性,

日本KDS晶振,Y1XVD008192VB有源晶振编码,石英晶振型号DSV321SV 3225 8.19M

品牌 原厂代码 型号 尺寸 频率 负载/电压
KDS 1ZC12256 DST1210A 1210 32.768K 9PF
KDS 1TJL070DR1A0009 DST1610AL 1610 32.768K 7PF
KDS 1TJH125DR1A0004 DST1610A 1610 32.768K 12.5PF
KDS 1TJF080DP1AA003 DST310S 3215 32.768K
KDS 1TJF080DP1AA003 DST310S 3215 32.768k 8PF
KDS 1TJF0SPDJ1AI00S DST310S 3215 32.768k
KDS 1TJF080DP1AI00P DST310S 3215 32.768k 8PF
KDS 1TJF090DP1AI007 DST310S 3215 32.768k 9PF
KDS 1TJF0SPDP1AI008 DST310S 3215 32.768k
KDS 1TJF125DP1AI009 DST310S 3215 32.768k 12.5PF
KDS 1TJF090DP1AA00L DST310S 3215 32.768k 9PF
KDS 1TJF080DP1AA00K DST310S 3215 32.768k 8PF
KDS 1TJF0SPDP1AA00G DST310S 3215 32.768k
KDS 1TJF0SPDN1A000B DST310S 3215 32.768k
KDS 1TD125DGNS003 DT-26 206 32.768k 12.5PF
KDS 1TD125DHNS036 DT-26 206 32.768k 12.5PF
KDS 1TD125DHNS002 DT-26 206 32.768k 12.5PF
KDS 1TD060DHNS014 DT-26 206 32.768k 6.0PF
KDS 1TD125BHNS001 DT-26 206 32.768k 12.5PF
KDS 1TD075BHNS001 DT-26 206 32.768k 7.5PF
KDS 1TD075BHNS001 DT-26 206 32.768k 7.5PF
KDS 1TD125BFNS001 DT-26 206 32.768k 12.5PF
KDS 1TD1001HNS001 DT-26 206 32.768k 10.0PF
KDS 1TD1250HNS005 DT-26 206 32.768k 12.5PF
KDS 1TC125DFNS030 DT-38 308 32.768k 12.5PF
KDS 1TC125NFNS002 DT-38 308 32.768k 12.5PF
KDS 1TC125AFSS003 DT-38 308 32.768k 12.5PF
KDS 1TC250E65 DT-38 308 32.768k 12.5PF
KDS 1TC125JHNS001 DT-38 308 32.768KHZ 12.5PF
KDS 1TC125JHNS001 DT-38 308 32.768KHZ 12.5PF
KDS 1TC070DFNS012 DT-38 308 32.768KHZ 7PF
KDS 1TD060DHNS006 DT-26 206 32.768KHZ 6PF
KDS KDS圆柱石英晶振 DT-38 308 32.768KHZ 12.5PF
KDS 1TJS060DJ4A739Q DMX-26S 8038 32.768K 6PF
KDS 1ZZHAM24000BB0B DSX1612S 1612 24.000M
KDS 1ZZHAM26000AB0A DSX1612S 1612 26.000M
KDS 1ZZCAA24000BE0B DSX211G 2016 24.000M 10PF
KDS 1ZZCAA27120BB0D DSX211G 2016 27.12M 10PF
KDS 1ZZCAA27120CD0A DSX211G 2016 27.12M
KDS 1ZZNAE26000AB0J DSX211SH 2016 26.000M 7PF
KDS 1ZZNAE26000AB0J DSX211SH 2016 26.000M 7PF
KDS 1ZCP37400AA0H DSX211AL 2016 37.400M
KDS 1ZZNAE38400AA0C DSX211SH 2016 38.400M
KDS 1ZZNAE48000ZZ0R DSX211SH 2016 48.000M 7PF
KDS 7AE01200A00A000000I DSX221G 2520 12.000M 8PF
KDS 1ZNA16000AB0P DSX221G 2520 16.000M 9PF
KDS 1ZCB26000AB0R DSX221G 2520 26.000M
KDS 1ZNA32000BB0B DSX221G 2520 32.000M 12PF
KDS 1ZC13727 DSX221SH 2520 24.000M 10PF
KDS 1ZN326000AB0A DSX221SH 2520 26.000M 7PF
KDS 1ZN326000AB0A DSX221SH 2520 26.000M 7PF
KDS 1C208000BC0R DSX321G 3225 8.000M 12PF
KDS 1C208000CE0H DSX321G 3225 8.000M 10PF
KDS 1C208000EE0BL DSX321G 3225 8.000M 12PF
KDS 17AD00800A1C DSX321G 3225 8.000M 12PF
KDS 1ZCM080000EE0A DSX320G 3225 8.000M 8PF
KDS 1C210000EK0C DSX321G 3225 10.000M
KDS 17AD01200A1R DSX321G 3225 12.000M
KDS 1C214745CE0E DSX321G 3225 14.7456M
这表明迁移率的提高不仅取决于效应,还存在其他影响电学性能的机制.相比于传统基于无序半导体材料的场效应晶体管中掺杂引起的缺陷钝化现象,由有序单晶荷转移界面制备的场效应晶体管不仅整体电导、深圳进口晶振代理商迁移率高,还具有跨导不依赖于栅压的电学特性,这表明迁移率的提高不仅取决于效应,还存在其他影响电学性能的机制.近日所微电子器件与集成技术重点实验室在有机分子晶体器件的载流子输运研究方向取得重要进展.

日本KDS晶振,Y1XVD008192VB有源晶振编码,石英晶振型号DSV321SV 3225 8.19M

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