CSB21-012.688575M,7050差分石英晶体,TCXO晶振
频率:12.688575MHz
尺寸:7.0*5.0mm
CSB21-012.688575M,7050差分石英晶体,TCXO晶振,编码:CSB21-012.688575M,型号:CSB系列晶振,工作温度:-20°C ~ 55°C,尺寸:7.0*5.0mm,频率:12.688575MHz,电压:3.3V,精度:±200ppb,电流:2.1mA,温度补偿晶振,有源晶振SPXO,差分晶振,康纳-温菲尔德的CSBxx系列精度 TCXO氏症非常适合下一代 紧急信标应用。中国证券交易所 系列为表面贴装、5x7mm、3.3V、LVCMOS 或削波正弦波温度补偿 为应急设计的晶体振荡器(TCXO) 要求严格频率的信标应用 稳定性和低功耗。数据被序列化并 可在线提供给客户以供将来参考 认证期间,请参见第4页的说明,3.3 Vdc操作 频率稳定性:0.20 ppm 平均斜率= 0.7 ppb/min 可用温度范围: 一级-40至55摄氏度,二级-20至55摄氏度 选项:-10至65摄氏度 LVCMOS或削波正弦波输出 陶瓷表贴封装 带卷包装 符合RoHS标准/无铅。
订购热线:0755-27876236
CSB21-012.688575M,7050差分石英晶体,TCXO晶振,编码:CSB21-012.688575M,型号:CSB系列晶振,工作温度:-20°C ~ 55°C,尺寸:7.0*5.0mm,频率:12.688575MHz,电压:3.3V,精度:±200ppb,电流:2.1mA,温度补偿晶振,有源晶振SPXO,差分晶振,康纳-温菲尔德的CSBxx系列精度
TCXO氏症非常适合下一代
紧急信标应用。中国证券交易所
系列为表面贴装、5x7mm、3.3V、LVCMOS
或削波正弦波温度补偿
为应急设计的晶体振荡器(TCXO)
要求严格频率的信标应用
稳定性和低功耗。数据被序列化并
可在线提供给客户以供将来参考
认证期间,请参见第4页的说明,3.3 Vdc操作
频率稳定性:0.20 ppm
平均斜率= 0.7 ppb/min
可用温度范围:
一级-40至55摄氏度,二级-20至55摄氏度
选项:-10至65摄氏度
LVCMOS或削波正弦波输出
陶瓷表贴封装
带卷包装
符合RoHS标准/无铅。
CSB21-012.688575M,7050差分石英晶体,TCXO晶振,参数表
编码 | CSB21-012.688575M |
品牌 | Connor-Winfield |
型号 | CSB |
频率 | 12.688575MHz |
输出方式 | LVCMOS |
电压 | 3.3V |
精度 | ±200ppb |
工作温度 | -20°C ~ 55°C |
电流 | 2.1mA |
Manufacturer Part Number原厂代码 | 壹兆晶振厂家 | Series型号 | Type 类型 | Frequency 频率 | Output 输出 | Voltage - Supply电压 | Frequency Stability频率稳定度 | Operating Temperature 工作温度 |
D32G-016.368M | Connor-Winfield | D32G | TCXO | 16.368MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb | -30°C ~ 85°C |
D32G-016.368M | Connor-Winfield | D32G | TCXO | 16.368MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb | -30°C ~ 85°C |
D32G-016.368M | Connor-Winfield | D32G | TCXO | 16.368MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb | -30°C ~ 85°C |
D32G-026.0M | Connor-Winfield | D32G | TCXO | 26MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb | -30°C ~ 85°C |
D32G-026.0M | Connor-Winfield | D32G | TCXO | 26MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb | -30°C ~ 85°C |
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D32G-019.2M | Connor-Winfield | D32G | TCXO | 19.2MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb | -30°C ~ 85°C |
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D32G-019.2M | Connor-Winfield | D32G | TCXO | 19.2MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb | -30°C ~ 85°C |
D75A-010.0M | Connor-Winfield | D75A | TCXO | 10MHz | LVCMOS | 3.3V | ±280ppb | 0°C ~ 70°C |
D75A-010.0M | Connor-Winfield | D75A | TCXO | 10MHz | LVCMOS | 3.3V | ±280ppb | 0°C ~ 70°C |
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D75A-019.2M | Connor-Winfield | D75A | TCXO | 19.2MHz | LVCMOS | 3.3V | ±280ppb | 0°C ~ 70°C |
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D53G-020.0M | Connor-Winfield | D53G | TCXO | 20MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb | -30°C ~ 85°C |
D53G-020.0M | Connor-Winfield | D53G | TCXO | 20MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb | -30°C ~ 85°C |
D53G-020.0M | Connor-Winfield | D53G | TCXO | 20MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb | -30°C ~ 85°C |
D75A-012.8M | Connor-Winfield | D75A | TCXO | 12.8MHz | LVCMOS | 3.3V | ±280ppb | 0°C ~ 70°C |
D75A-012.8M | Connor-Winfield | D75A | TCXO | 12.8MHz | LVCMOS | 3.3V | ±280ppb | 0°C ~ 70°C |
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