爱普生晶振,SPXO晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
频率：50-80MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
爱普生晶振,SPXO晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振,有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
石英晶振真空退火技术：32.768K晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性，以及提高石英晶振的年老化特性。
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
50-80MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.8-3.3 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.oscillatorcrystal.com |
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H: -40℃ to +105℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
30 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
Product Number
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Model
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Frequency
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LxWxH
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Output Wave
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Ope Temperature 
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Freq. Tol.
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I [Max]
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25°C Aging
|
Aging2
|
Symmetry
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| X1G0029410001 | SG-210SED | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
| X1G0029410002 | SG-210SED | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
| X1G0029410006 | SG-210SED | 50.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
| X1G0029410008 | SG-210SED | 72.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
| X1G0029410011 | SG-210SED | 50.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
| X1G0029410013 | SG-210SED | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |
| X1G0029410014 | SG-210SED | 74.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |
| X1G0029410016 | SG-210SED | 60.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % |
爱普生有源晶体振荡器产品列表:
压控晶振的原理简单的说就是产品在工作过程中有一个电压稳定控制功能，当石英晶振在使用过程中遇到电压变大或者变小的情况下，产品可以在自带电压功能的情况下把电压控制在可接受范围，以及控制振荡器的PPM精度，不超出在需要的频率内，使其能够稳定的给CPU提供精准信号，这就是压控振荡器的主要特点。
那么温补晶振（TCXO）又有什么特点，温补晶振简单的来说就是在工作过程中起到温度补偿功能，那怎么个温度补偿法呢？其实原理跟压控振荡器一样，比如说温补晶振电压有1.6V-1.8V-2.2V-2.8V-3V-3.3V-5V等几款常用电压。温补晶振在工作过程中如果遇到了温度变化很大的情况下，那这个时候温度补偿就起作用了，比如说温补晶振的基本精度要求是0.5PPM，常温要求是2ppm，那如果低温超出的常温的情况下，晶体的温补功能就会把精度控制在一定的范围内，使精度变化在一个要求值的范围，稳定在高精度要求内给CPU提供稳定的信号。
爱普生晶振,SPXO晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
从设计阶段开始减少环保负荷的体制建设，爱普生由环保主管董事担任整个集团的环保活动的总负责人，由环保部跨事业所支持和促进环保活动。此外，社长的咨询机构—环保委员会，还针对各据点的活动情况和全公司的环保课题进行议论和探讨。此外，为大力推进二氧化碳减排活动，进口晶振设立了“防止全球变暖委员会”，加快设计、开发和生产过程中CO2减排活动的步伐。
截止到2006年度，爱普生晶振制作在国内外的所有生产据点以及国内的非生产据点——爱普生晶振制作总公司、东京分公司、营业所，均取得了ISO14001认证。此后，爱普生晶振制作努力开展体系整合，2520小体积晶体振荡器并于2007年3月在国内集团的34个据点完成了向ISO14001多站认证的转变。爱普生晶振制作力求通过此举，落实从设计、开发到生产、销售的一条龙环保管理，同时还将在一部分据点取得显著成效的改善事例推广应用到其他据点等，以提高整个集团的环保绩效。
爱普生晶振,SPXO晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
联系人：龚成
QQ：769468702
手机：13590198504
邮箱:zhaoxiandz@163.com
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采购：爱普生晶振,SPXO晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
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