爱普生晶振,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
频率:2.375~60MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
爱普生晶振,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振,2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.
石英晶振的切割设计:用不同角度对石英晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等。
型号 |
符号 |
参数 |
输出规格 |
- |
CMOS |
输出频率范围 |
fo |
2.375~60MHZ |
电源电压 |
VCC |
2.7~3.63V |
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
保存温度范围 |
T_stg |
-40-+85℃ |
运行温度范围 |
T_use |
-10-+70℃ ,-40-+85℃ |
消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
待机时电流(#1引脚"L") |
I_std |
10μA max. |
输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形对称 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
0电平电压 |
VOL |
- |
1电平电压 |
VOH |
- |
上升时间 下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
补偿电压 |
VOS |
1.125-1.375V |
补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉点电压 |
Vcr |
- |
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
周期抖动(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
总抖动(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
爱普生有源进口MHZ振荡器编码列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SED
66.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
74.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
60.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
72.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-211SCE
12.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 6.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
8.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
|
Model | Frequency | LxWxH |
|
|
|
I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0029410013 | SG-210SED | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0029410014 | SG-210SED | 74.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0029410016 | SG-210SED | 60.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0029410018 | SG-210SED | 72.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 6.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036210006 | SG-211SCE | 12.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-20 ppm | ≤ 3.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036210007 | SG-211SCE | 54.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-15 ppm | ≤ 6.0 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036210009 | SG-211SCE | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-20 ppm | ≤ 3.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036210010 | SG-211SCE | 8.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-20 ppm | ≤ 3.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % |
OSC振荡器自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。爱普生晶振,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶振时,会影响2520晶振频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度: 温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
耐焊性:将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至石英贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
我们的活动、产品和服务首先要遵守和符合有关环境的法律和其他环境要求.努力探索生产中所使用的有毒有害物质的替代,本着污染预防的思想,使我们的有源晶振,压控振荡器,低损耗晶振,石英晶振更趋于绿色,提高本公司的社会形象.爱普生晶振,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
爱普生晶振环境影响的最小化:遵照社会的期望,改进的环境行为,我们将通过有效利用森林、能源以及其它资源,减少2520mm石英晶振形式的废物来实现这一承诺.爱普生晶振环境管理体系:在每一个运行部门,实施支持方针的系统的环境管理工具.我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障.每年我们都将建立可测量的环境管理以及行为改进的目标和指标.
环境行为评价:评价我们运行以及员工的环境行为表现,确认支撑着本方针的成绩.我们将向我们的员工提供信息,以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训.加强环境意识教育,提高环境意识,充分调动职工的积极性,积极使用温补晶体振荡器(TCXO)、恒温晶体振荡器(OCXO),2520贴片石英晶振,石英晶振,有源晶振环保型原材料,减少生产过程中的废弃物产生量,努力向相关方施加环境影响.
联系人:龚成
QQ:769468702
手机:13590198504
邮箱:zhaoxiandz@163.com
网站:http://www.oscillatorcrystal.com
采购:爱普生晶振,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
- *联系人:
- *手机:
- 公司名称:
- 邮箱:
- *采购意向:
- *验证码:
跟此产品相关的产品 / Related Products
- 爱普生晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振
- 贴片石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
晶振厂家
台产晶振
日产晶振
欧美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康纳温菲尔德
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal
- 维管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蚀晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal
- IDTcrystal晶振
- Pletronics晶振
- Statek晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- QuartzChnik晶振
- SUNTSU晶振
- Transko晶振
- WI2WI晶振
- 韩国三呢晶振
- ACT晶振
- MTI-Milliren晶振
- LiHom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- C-TECH晶振
- KVG晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- Filtronetics晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- ARGO晶振
- Skyworks晶振
- Renesas瑞萨晶振
32.768K
有源晶振
贴片晶振
应用领域
电话:86-0755-27876236
手机:135-9019-8504
QQ:769468702
地址:中国广东深圳市宝安区沙井街道上星咸夫大厦F座2号903