爱普生晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振
频率：2.375~60MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
伴随信息化社会的进程,现在石英晶振元器件已被广泛应用于各种电子设备以及家电产品之中,日趋重要. 爱普生拓优科梦（Epson — yocom）将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的“QMEMS”技术,创造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同时,融合爱普生集团的半导体与软件技术增添便于使用、能让顾客更体验到利用价值的“解决方案”.通过上述工作,我们将为社会的发展以及实现更舒畅的未来而竭诚奉献.
爱普生晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
晶振高精密点胶技术：石英晶体振荡器晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使石英晶振晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。将被上银电极的晶片装在弹簧支架上，点上导电胶，并高温固化，通过弹簧即可引出电信号。
|
型号 |
符号 |
参数 |
|
输出规格 |
- |
CMOS |
|
输出频率范围 |
fo |
2.375~60MHZ |
|
电源电压 |
VCC |
1.6~2.2V |
|
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存温度范围 |
T_stg |
-40-+85℃ |
|
运行温度范围 |
T_use |
-10-+70℃ ,-40-+85℃ |
|
消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
|
待机时电流（＃1引脚"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
|
波形对称 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
|
0电平电压 |
VOL |
- |
|
1电平电压 |
VOH |
- |
|
上升时间 下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
|
差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
|
差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
补偿电压 |
VOS |
1.125-1.375V |
|
补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉点电压 |
Vcr |
- |
|
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
|
输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖动（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
总抖动（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
|
相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
爱普生有源进口MHZ振荡器编码列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-211SDE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
36.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
11.289600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
37.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0036310020
SG-211SDE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036310021
SG-211SDE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036310022
SG-211SDE
36.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036310023
SG-211SDE
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410002
SG-211SEE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410003
SG-211SEE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410004
SG-211SEE
11.289600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410005
SG-211SEE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410006
SG-211SEE
37.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
耐焊性：将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至石英贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。爱普生晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振
OSC晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。
存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶振时,会影响金属面晶振频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度： 温度：+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
环境行为评价：评价我们运行以及员工的环境行为表现,确认支撑着本方针的成绩.我们将向我们的员工提供信息,以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训.加强环境意识教育,提高环境意识,充分调动职工的积极性,积极使用温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）,2520尺寸晶振,石英晶振,有源晶振环保型原材料,减少生产过程中的废弃物产生量,努力向相关方施加环境影响. 爱普生晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振
我们的活动、产品和服务首先要遵守和符合有关环境的法律和其他环境要求.努力探索生产中所使用的有毒有害物质的替代,本着污染预防的思想,使我们的有源晶振,压控振荡器,高性能石英振荡器,石英晶振更趋于绿色,提高本公司的社会形象.
爱普生晶振环境影响的最小化：遵照社会的期望,改进的环境行为,我们将通过有效利用森林、能源以及其它资源,减少2520贴片有源晶振形式的废物来实现这一承诺.爱普生晶振环境管理体系：在每一个运行部门,实施支持方针的系统的环境管理工具.我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障.每年我们都将建立可测量的环境管理以及行为改进的目标和指标.
联系人：龚成
QQ：769468702
手机：13590198504
邮箱:zhaoxiandz@163.com
网站:http://www.oscillatorcrystal.com
采购：爱普生晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振
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晶振厂家
台产晶振
日产晶振
欧美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康纳温菲尔德
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal
- 维管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蚀晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal
- IDTcrystal晶振
- Pletronics晶振
- Statek晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
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- GED晶振
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- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
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- NEL晶振
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32.768K
有源晶振
贴片晶振
应用领域
电话：86-0755-27876236
手机：135-9019-8504
QQ：769468702
地址：中国广东深圳市宝安区沙井街道上星咸夫大厦F座2号903
