高精度SMD晶振,7050石英晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

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爱普生晶振,SPXO晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

频率：80-170MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

订购热线：0755-27876236

爱普生晶振,SPXO晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高的温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高的温回流温度曲线要求.

石英晶振高精度晶片的抛光技术：普通石英晶体振荡器是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	80-170MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.6-3.6V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.oscillatorcrystal.com
		H: -20℃ to +70℃

频率稳定度	f_tol	J: ±25× 10^-6
		L: ±30× 10^-6
		T: ±50× 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

爱普生有源晶体振荡器编码列表:

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0045010001	SG7050CCN	4.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010003	SG7050CCN	16.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010004	SG7050CCN	48.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010005	SG7050CCN	11.059200 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010006	SG7050CCN	20.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010007	SG7050CCN	50.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010008	SG7050CCN	25.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010009	SG7050CCN	33.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010010	SG7050CCN	40.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010011	SG7050CCN	44.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %

SG5032CAN 7050CAN CBN CCN CMOS

爱普生有源晶体振荡器产品列表:

SG7050 5032

（1）线路连接的电阻（R）与晶体串联

（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。

（3）振荡期间测量R的值。

（4）你将能够获得负电阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所连接的电路的杂散电容，可能会影响测定值。

如果晶振的参数是正常的，但它不工作稳步振荡电路中，我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话，我们有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值，并采用其他贴片晶振具有较低负载电容（CL）。

采用具有较低电阻（RR）的石英晶振。

使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。

当有信号输出从XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的。我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间，以驱动后端电路。

但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步骤1-4-4的三种方法。如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助，如果你的问题不能得到解决。系统无法运行，因为晶体没有足够的输出波形振幅。

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爱普生晶振环保基本理念：

1.作为良好的企业市民，遵循本公司的行动方针，充分关心维护地球环境。遵守国内外的有关环保法规。

2.保护自然环境，7050石英振子充分关注自然生态等方面的环境保护，维持和保全生物多样性。

3.有效利用资源和能源，认识到资源和能源的有限性，努力进行有效利用。

4为构建循环型社会做出贡献，贴片晶体振荡器致力于减少废弃物及废弃物的再利用核再生循环，努力构建循环型社会。

5.推进环保型业务，充分发挥综合实力，推进环保型业务，为减轻社会的环境负荷做出贡献。

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深圳市兆现电子有限公司
联系人：龚成

电话：0755--27876236
QQ：769468702
手机：13590198504
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