爱普生晶振,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振
频率：2~60MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
精工爱普生株式会社（总经理:碓井 稔,以下简称为“爱普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫电子有限公司签订在中国区域深圳总代理签订合作协议,在同年期间苏州爱普生水晶宣布将高端的OCS石英晶振生产重心转移到中国苏州爱普生工厂生产,并且成立研发中心.因为智能手机,以及GPS卫星导航的普及,有源晶振得到迅速的发展,并且从早期5X7mm的体积演变到今天2520mm体积的温补晶振,压控晶振,以下是有源石英晶体振荡器部分产品型号,爱普生料号等.
爱普生晶振,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性压电晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内。
|
型号 |
符号 |
参数 |
|
输出规格 |
- |
CMOS |
|
输出频率范围 |
fo |
2~60MHZ |
|
电源电压 |
VCC |
2.7~3.6V |
|
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存温度范围 |
T_stg |
-40-+85℃ |
|
运行温度范围 |
T_use |
-10-+70℃ ,-40-+85℃ |
|
消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
|
待机时电流（＃1引脚"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
|
波形对称 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
|
0电平电压 |
VOL |
- |
|
1电平电压 |
VOH |
- |
|
上升时间 下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
|
差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
|
差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
补偿电压 |
VOS |
1.125-1.375V |
|
补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉点电压 |
Vcr |
- |
|
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
|
输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖动（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
总抖动（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
|
相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
爱普生有源进口MHZ振荡器编码列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG7050EBN
156.253906 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 55.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG7050EBN
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 55.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG7050EBN
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 55.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG7050EBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 55.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG-210SCBA
12.288000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SCBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SCBA
49.090000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SCBA
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 4.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
|
Model | Frequency | LxWxH |
|
|
|
I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0045110012 | SG7050EBN | 156.253906 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.70 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 55.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0045110601 | SG7050EBN | 156.250000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.70 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 55.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0045110602 | SG7050EBN | 125.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.70 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 55.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0045110603 | SG7050EBN | 100.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.70 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 55.0 mA | Included in Frequency tolerance 10 years | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0045910026 | SG-210SCBA | 12.288000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004591A001 | SG-210SCBA | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004591A002 | SG-210SCBA | 49.090000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004591A003 | SG-210SCBA | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 4.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % |
机械振动的影响:当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管进口贴片晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。爱普生晶振,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振
晶振产品使用每种产品时,请在贴片晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。
进口晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的石英晶振.但是为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。
爱普生晶振环境影响的最小化：遵照社会的期望,改进CMOS驱动2520晶振的环境行为,我们将通过有效利用森林、能源以及其它资源,减少各种形式的废物来实现这一承诺.爱普生晶振环境管理体系：在每一个运行部门,实施支持方针的系统的环境管理工具.我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障.每年我们都将建立可测量的环境管理以及行为改进的目标和指标. 爱普生晶振,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振
环境行为评价：评价我们运行以及员工的环境行为表现,确认支撑着本方针的成绩.我们将向我们的员工提供信息,以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训.加强环境意识教育,提高进口OSC晶体振荡器环境意识,充分调动职工的积极性,积极使用温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）,晶振,石英晶振,有源晶振环保型原材料,减少生产过程中的废弃物产生量,努力向相关方施加环境影响.
我们的活动、产品和服务首先要遵守和符合有关环境的法律和其他环境要求.努力探索生产中所使用的有毒有害物质的替代,本着污染预防的思想,使我们的有源晶振,压控振荡器,四脚贴片晶振,石英晶振更趋于绿色,提高本公司的社会形象.
联系人：龚成
QQ：769468702
手机：13590198504
邮箱:zhaoxiandz@163.com
网站:http://www.oscillatorcrystal.com
采购：爱普生晶振,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振
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晶振厂家
台产晶振
日产晶振
欧美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康纳温菲尔德
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