爱普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
频率:2-60MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
爱普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振,超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等。
项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
2-60MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.8-3.3 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.oscillatorcrystal.com |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
|
|||
频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
Product Number | Model | Frequency | LxWxH | Output Wave | Ope Temperature | Freq. Tol. | I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry |
X1G004601A002 | SG-210SDBA | 20.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
X1G004601A003 | SG-210SDBA | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
X1G004601A004 | SG-210SDBA | 16.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
X1G004601A005 | SG-210SDBA | 16.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
X1G004601A006 | SG-210SDBA | 32.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
X1G004601A007 | SG-210SDBA | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
X1G004601A008 | SG-210SDBA | 12.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |
X1G004601A009 | SG-210SDBA | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % |
爱普生有源晶体振荡器产品列表:
(1)线路连接的电阻(R)与石英晶体串联
(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。
(3)振荡期间测量R的值。
(4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值。
如果有源晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:
降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他石英晶振具有较低负载电容(CL)。
采用具有较低电阻(RR)的晶振。
使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。
当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的。我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路。
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法。如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决。系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅。
爱普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
爱普生晶振公司集团作为“地球内企业”,在保护地球环境方面发挥着领导作用。我们尊重历史、文化和传统的多样性,进口石英振荡器并致力于“CSR经营”和“环境经营”。为取得社会的信任,为推动环境负荷最小化,爱普生晶振集团还开展了各种各样的活动。
爱普生晶振集团在“制造、使用、有效利用、再利用”这样一个产品生命周期中,努力创造丰富的价值,高品质晶振给社会带来温馨和安宁,感动和惊喜,同时为减少环境影响,努力做好“防止地球变暖、有效利用资源、对化学物质进行管理”,实现与地球的和谐相处。
爱普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
联系人:龚成
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