SPXO贴片晶振,SG2016CAN晶振,低损耗有源晶振,X1G0048010002晶振

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爱普生晶振,SPXO晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振

频率：1.2-75MHZ

尺寸：2.0*1.6mm

2016mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

订购热线：0755-27876236

爱普生晶振,SPXO晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求

有源晶振频率越高一般价格越高。但频率越高，频差越大，从综合角度考虑，一般工程师会选用频率低但稳定的晶振，自己做倍频电路。总之石英晶振是根据需要去选择合适的频率，并不是晶振频率越大就越好。要看具体需求。比如基站中一般用10MHz的恒温晶振（OCXO），因其有很好的频率稳定性，属于高端晶振。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	1.2-75MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.6-3.63V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.oscillatorcrystal.com
		H: -40℃ to +105℃

频率稳定度	f_tol	J: ±25× 10^-6
		L: ±50× 10^-6
		T: ±100× 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

爱普生有源晶体振荡器编码列表:

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0048010002	SG2016CAN	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010012	SG2016CAN	25.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010014	SG2016CAN	16.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010016	SG2016CAN	74.250000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010018	SG2016CAN	20.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010019	SG2016CAN	72.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0048010020	SG2016CAN	48.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.70 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.6 mA	+/-3ppm		45 to 55 %

SG2016CAN 2016 CMOS

爱普生有源晶体振荡器产品列表:

SG3225 2016

如果由频率计数器测量的频率比目标频率高，要增加石英晶振的电容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低频率到目标频率，反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善，这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该晶振应正常后，谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率，我们可以通过以下三种方法改进：

方法1：降低产品线路外部电容（Cd和CG）的值，并通过石英晶体具有较低负载电容（CL）。

方法2：采用小电阻（RR）的晶体。

方法3：使用镉和CG的不等价的设计。

我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。我们建议您使用上面的方法来节省成本，保证安全。请用频率计数器来测量所述晶体，以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格，请采用有源晶振合适的CL值为根据您的目标频率。请采用晶振具有较低的CL如果频率比目标频率，反之亦然高得多系统不能正常工作，由于输出频率会偏差很大。