大真空KDS晶振,DSX221G贴片晶振,1ZNA16000AB0P陶瓷晶振

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大真空KDS晶振,DSX221G贴片晶振,1ZNA16000AB0P陶瓷晶振

频率：12.000MHZ-64.000MHZ

尺寸：2.5mm*2.0mm

KDS晶振贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器（偏差大）和普通的石英晶体谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.

大真空KDS晶振,DSX221G贴片晶振,1ZNA16000AB0P陶瓷晶振

订购热线：0755-27876236

石英晶振的研磨技术：通过对2520晶振切割整形后的晶片进行研磨，使石英晶振的晶片达到（厚度/频率）的一定范围。石英晶振晶片厚度与频率的关系为：在压电晶体行业，生产晶振频率的高低是显示技术水平的一个方面，通过理论与实际相结合，累积多年的晶振研磨经验，通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术，注重贴片晶振研磨过程的各种细节，注重晶振所用精磨研磨设备的选择；注重所使用水晶、研磨砂的选择等

超薄型石英晶体谐振器,KDS晶振贴片晶振本身体积小,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器（偏差大）和普通的石英晶体谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.

大真空KDS晶振,DSX221G贴片晶振,1ZNA16000AB0P陶瓷晶振

KDS晶振规格	单位	晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12-64MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20 × 10-6 (标准), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.oscillatorcrystal.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

KDS贴片晶振产品列表：

我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。我们建议您使用上面的方法来节省成本，保证安全。请用频率计数器来测量所述无源晶体，以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格，请采用晶体合适的CL值为根据您的目标频率。请采用晶振具有较低的CL如果频率比目标频率，反之亦然高得多系统不能正常工作，由于输出频率会偏差很大。

如果由频率计数器测量的频率比目标频率高，要增加2520晶振石英晶振的电容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低频率到目标频率，反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善，这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该贴片晶振应正常后，谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率，我们可以通过以下三种方法改进：

方法1：降低产品线路外部电容（Cd和CG）的值，并通过晶体具有较低负载电容（CL）。

方法2：采用小电阻（RR）的晶体。

方法3：使用镉和CG的不等价的设计

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