KDS晶振,热敏晶振,DSR211ATH晶振,1RAE19200BAA晶振
频率:19.2MHZ
尺寸:2.0*1.6mm
KDS晶振,热敏晶振,DSR211ATH晶振,1RAE19200BAA晶振,石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性贴片封装石英晶振晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。
项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
19.2MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
2.6-3.3V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -10℃ to +70℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.oscillatorcrystal.com |
H: -30℃ to +85℃ |
|||
|
|||
频率稳定度 |
f_tol |
J: ±2.5× 10-6 |
|
L: ±2.0× 10-6 |
|||
|
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
输出负载条件 |
L_CMOS |
10pF Max. |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
KDS有源晶振产品列表:
所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供。
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低。
输出负载
建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间)。
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的温补晶体振荡器产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。
KDS晶振,热敏晶振,DSR211ATH晶振,1RAE19200BAA晶振
KDS晶振所有的经营组织都将积极应用国际标准以及适用的法律法规。为促进合理有效的公共政策的制订实施加强战略联系。
消除事故和环境方面的偶发事件,KDS进口贴片晶振减少废物的产生和排放,有效的使用能源和各种自然资源,对紧急事件做好充分准备,以便及时做出反应。
对我们的产品进行检验,同时告知我们的员工顾客以及公众,如何安全的使用,如何使用对环境影响较小,帮助我们的雇员合同方商业伙伴服务提供上理解他们的行为如何影响着环境。公司的各项能源、有源晶体振荡器资源消耗指标和排放指标达到国内领先、国际先进水平。
KDS晶振集团实施创新战略,提高自主创新能力,确保公司可持续发展。实施节约战略,提高建设节约环保型企业能力,确保实现节能环保规划目标。
KDS晶振,热敏晶振,DSR211ATH晶振,1RAE19200BAA晶振
联系人:龚成
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采购:KDS晶振,热敏晶振,DSR211ATH晶振,1RAE19200BAA晶振
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