- [行业资讯]三星2023量产三代4nm芯片不生产3纳米晶振CSTNE12M0G550000R0 3213 12M 33PF2023年03月18日 16:24
三星2023量产三代4nm芯片不生产3纳米晶振CSTNE12M0G550000R0 3213 12M 33PF
实际上三星电子先进制程良率非常低,自5纳米工艺开始一直存在良率问题,在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕.2022年2月,三星因4nm工艺良率低的问题,导致高通不得不将骁龙8Gen1Plus交给台积电来代工,同时可能将下一代处理器也交给台积电3nm工艺代工.
实际上根据ctee的报告,村田晶振muRata谐振器,陶瓷村田晶振与之前的4/5nm工艺一样,三星在3nmGAA工艺的生产中也遇到了挫折,良率只有20%.为了克服生产过程中遇到的诸多障碍,三星还选择与美国公司合作,协助其提高3nmGAA工艺的良率.尽管此后三星宣称已经通过整合其合作伙伴使用的技术获得了积极成果,但实际良率还不得而知,也没有明显市场表现.三星抢跑“量产”3nm芯片 日本村田晶振,石英晶体谐振器CSTNE,贴片晶振编码CSTNE12M0G550000R0
- 阅读(1013)
相关搜索
热点聚焦
- 1Fuji富士晶振FCX2S02600010I1X 2016 26M 10PF 10PP -40+125真无线立体声
- 2XLM326100.000000I 3225 100M瑞萨RENESAS六脚差分LVDS华为Mate60 5G晶振
- 3富士晶振物联网 FCX3M02500020Y1G 3225 25M 20PF 10PP
- 4FCX9M02500020Y5L 49SMD 25M 20PF 日本富士FCom晶振参数对比
- 5高利奇Golledge SAW滤波器GPS六脚MP05145 1601.0MHz GSRF TA0550A SAW Filt 3.0X3.0
- 6FCX9M00800018Y5L 49SMD 8M 18PF系统级芯片单片机富士无源晶振
- 7FCO3K03276833CPD00 3225 32.768KHZ XO CMOS遥控器FujiCom富士无源晶振有源晶振
- 8Golledge英国高利奇晶振频率信号完整性MP04672 GSX-333 3225 24M 18PF 10PPM
- 9FCO3C05000033CGE00 3225 50M XO 3.3V日本富士晶振在监控与安防作用
- 10FCT-3M 3215 32.768KHZ富士晶振给智能汽车娱乐模块CPU时钟信号源