7050贴片晶振,BE晶振,汽车电子晶振

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TXC晶振,差分晶振,BE晶振

频率：25-200MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

订购热线：0755-27876236

TXC晶振,差分晶振,BE晶振,超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

石英晶振频率稳定度：关键参数，我们的高端晶振可以达到10-9级别。指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差，用PPm（百万分之一）表示。一般来说，晶振稳定度越高或温度范围越宽，价格越高。对于频率稳定度要求±20ppm或以上的应用，可使用普通无补偿的石英晶体振荡器。对于介于±1 至±20ppm 的稳定度，应该考虑温补晶振TCXO 。对于低于±1ppm 的稳定度，应该考虑恒温晶振OCXO。

型号	符号	参数
输出规格	-	LVDS
输出频率范围	fo	25-200MHz
电源电压	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
频率公差（含常温偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存温度范围	T_stg	-40-+85℃
运行温度范围	T_use	-10-+70℃ ,-40-+85℃
消耗电流	I_CC	20mA max.
待机时电流（＃1引脚"L"）	I_std	10μA max.
输出负载	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形对称	SYM	45-55% [at outputs cross point]
0电平电压	V_OL	-
1电平电压	V_OH	-
上升时间下降时间	tr, tf	0.4ns max. [20-80% Output-OutputN]
差分输出电压	V_OD1, V_OD2	0.247-0.454V
差分输出误差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
补偿电压	V_OS	1.125-1.375V
补偿电压误差	⊿V_OS	50mV
交叉点电压	Vcr	-
OE端子0电平输入电压	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1电平输入电压	V_IH	V_CC×0.7 min.
输出禁用时间	tPLZ	200ns
输出使能时间	tPZL	2ms
周期抖动（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖动（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
总抖动（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖动	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz-5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz-20MHz]

TXC BE.7_5 LVDS

一般来说，微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：

镉和CG是外部负载电容，其中已建成的芯片组。（请参阅芯片组的规格）

Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。

Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路，但仅用于具有高电源电路。

一个稳定的振荡电路需要的负电阻，其值应是晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。

例如，为了获得稳定的振荡电路中，贴片晶振IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下，例如老化，热变化，电压变化，以及等等，电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此，这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：

线路连接的电阻（R）与晶体串联

（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。

（3）振荡期间测量R的值。

（4）你将能够获得负电阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所连接的电路的杂散电容，可能会影响测定值。

如果晶振的参数是正常的，但它不工作稳步振荡电路中，我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话，我们有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）。

采用具有较低电阻（RR）的有源晶振。

使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。

当有信号输出从XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的。我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间，以驱动后端电路。

但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步骤1-4-4的三种方法。如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助，如果你的问题不能得到解决。系统无法运行，因为晶体没有足够的输出波形振幅。

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