有源晶振频率越高一般价格越高。但频率越高,频差越大,从综合角度考虑,一般工程师会选用频率低但稳定的晶振,自己做倍频电路。总之差分晶振是根据需要去选择合适的频率,并不是晶振频率越大就越好。要看具体需求。比如基站中一般用10MHz的恒温晶振(OCXO),因其有很好的频率稳定性,属于高端晶振。至于范围,晶振的频率做的太高的话,就会失去意义,因为有其他更好的晶振频率产品代替。
京瓷晶振规格 |
单位 |
晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
10-52MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 (请参阅芯片组的规格)
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。
例如,为了获得稳定的振荡电路中,贴片晶振IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:
线路连接的电阻(R)与晶体串联
(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。
(3)振荡期间测量R的值。
(4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值。
如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:
降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL)。
采用具有较低电阻(RR)的有源晶振。
使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。
当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的。我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路。京瓷晶振,有源晶振,KT3225晶振
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法。如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决。系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅。
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