-
1612陶瓷晶振,XRCMD48M000FXQ58R0,muRata谐振器
1612陶瓷晶振,XRCMD48M000FXQ58R0,muRata谐振器 ，编码：XRCMD48M000FXQ58R0，型号：XRCMD，工作温度：-30°C ~ 85°C，尺寸：1.6mm*1.2mm，频率：48MHz，精度：±20ppm，负载电容：7pF，村田晶振，进口晶振，1612晶振，贴片石英晶体，陶瓷晶振，贴片晶振，晶体谐振器，实现了小封装和高精度的晶体单元 频率， 基于村田的优秀封装技术和高 级石英晶体元件，实现小尺寸和高 精度谐振器， 特征 该系列可用于以下必要的应用 高精度谐振器，谐振器尺寸极小，有助于 以减少安装面积，该系列符合RoHS指令，不含铅。更多 +
-
2016陶瓷贴片晶振,XRCPB24M000F0L00R0,日本村田晶振
2016陶瓷贴片晶振,XRCPB24M000F0L00R0,日本村田晶振 ，编码：XRCPB24M000F0L00R0，型号：XRCPB，工作温度：-30°C ~ 85°C，尺寸：2.0mm*1.6mm，频率：24MHz，精度：±100ppm，负载电容：6pF，进口晶振，muRata谐振器，2016晶振，石英晶谐振器，贴片晶振，无源贴片晶振，陶瓷贴片晶振，实现了小封装和高精度的晶体单元频率。基于村田的优秀封装技术和高级石英晶体元件，实现小尺寸和高精密谐振器。特征1.该系列可用于以下应用场合高精度谐振器，特别它是最好的，S-ATA、USB2.0等通信时钟，谐振器的尺寸非常小，并有助于减少安装面积，该系列符合RoHS指令，是无铅的。更多 +
- [行业资讯]三星2023量产三代4nm芯片不生产3纳米晶振CSTNE12M0G550000R0 3213 12M 33PF2023年03月18日 16:24
三星2023量产三代4nm芯片不生产3纳米晶振CSTNE12M0G550000R0 3213 12M 33PF
实际上三星电子先进制程良率非常低,自5纳米工艺开始一直存在良率问题,在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕.2022年2月,三星因4nm工艺良率低的问题,导致高通不得不将骁龙8Gen1Plus交给台积电来代工,同时可能将下一代处理器也交给台积电3nm工艺代工.
实际上根据ctee的报告,村田晶振muRata谐振器,陶瓷村田晶振与之前的4/5nm工艺一样,三星在3nmGAA工艺的生产中也遇到了挫折,良率只有20%.为了克服生产过程中遇到的诸多障碍,三星还选择与美国公司合作,协助其提高3nmGAA工艺的良率.尽管此后三星宣称已经通过整合其合作伙伴使用的技术获得了积极成果,但实际良率还不得而知,也没有明显市场表现.三星抢跑“量产”3nm芯片 日本村田晶振,石英晶体谐振器CSTNE,贴片晶振编码CSTNE12M0G550000R0
- 阅读（1019）
相关搜索
热点聚焦
- 1E3SB24E004000E 3225 24M 18PF 10PP鸿星6G晶振Hosonic
- 212.85534 KX-5T 2016 27M 8PF GEYER晶振
- 3O 25,0-JT33-B-K-3,3-LF 3225 25M TCXO削峰正弦波Jauch温补晶振
- 4Q 26.0-JXS21-12-10/15-T1-FU-WA-LF 2016 26M 12PF欧美Jauch晶振
- 5MP05594 2520 26M TCXO GTXO-253英国高利奇Golledge温补晶振
- 6Q 24.0-JXS22-12-10/15-T1-FU-WA-L 2520 24M 12PF 10PP JXS22-WA JAUCH无源晶振
- 7O 20,0-JO32-B-1V3-1-T1-LF 3225 20M XO HCMOS LVCMOS法国Jauch石英晶体振荡器
- 812.95034 KXO-V96T 3225 XO 20MHZ丹麦格耶有源晶振GEYER
- 9MP11444 GTXO-163T 1612 26M TCXO削峰正弦波Golledge高利奇温补晶振
- 10MP07952 GXO-3306L 3225 24M XO英国高利奇Golledge有源晶振
